STF19NF20

STMicroelectronics

STF19NF20

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 15A TO220FP

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieMESH OVERLAY™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Max. Verlustleistung25W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)