STF150N10F7

STMicroelectronics

STF150N10F7

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 65A TO220FP

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 55A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8115 pF @ 50 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieDeepGATE™, STripFET™ VII
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Max. Verlustleistung35W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)