STF12NK80Z

STMicroelectronics

STF12NK80Z

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs750mOhm @ 5.25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2620 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieSuperMESH™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.5A (Tc)
Max. Verlustleistung40W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)