STE60N105DK5

STMicroelectronics

STE60N105DK5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1050V 46A ISOTOP

AktivISOTOPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 23A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6675 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™ DK5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1050 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A (Tc)
Max. Verlustleistung680W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOTOP
Hersteller-GehäuseISOTOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)