STE53NC50

STMicroelectronics

STE53NC50

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP

AktivISOTOPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11200 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SeriePowerMESH™ II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C53A (Tc)
Max. Verlustleistung460W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOTOP
Hersteller-GehäuseISOTOP®

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)