STE45NK80ZD

STMicroelectronics

STE45NK80ZD

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP

ObsoletISOTOPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 22.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs781 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26000 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SerieSuperFREDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
Max. Verlustleistung600W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOTOP
Hersteller-GehäuseISOTOP®

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)