STE40NC60

STMicroelectronics

STE40NC60

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP

AktivISOTOPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11100 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SeriePowerMESH™ II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Max. Verlustleistung460W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOTOP
Hersteller-GehäuseISOTOP®

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)