STE139N65M5

STMicroelectronics

STE139N65M5

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP

ObsoletISOTOPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 65A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15600 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SerieMDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C130A (Tc)
Max. Verlustleistung672W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOTOP
Hersteller-GehäuseISOTOP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)