STD9NM60N

STMicroelectronics

STD9NM60N

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs745mOhm @ 3.25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds452 pF @ 50 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™ II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Tc)
Max. Verlustleistung70W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)