STD9NM40N

STMicroelectronics

STD9NM40N

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK

AbgekündigtTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs790mOhm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds365 pF @ 50 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieMDmesh™ II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Tc)
Max. Verlustleistung60W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)