STD95P3LLH6AG

STMicroelectronics

STD95P3LLH6AG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.9mOhm @ 40A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6250 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ H6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung104W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)