STD60NF55LAT4

STMicroelectronics

STD60NF55LAT4

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 60A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, SuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Max. Verlustleistung110W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseD-PAK (TO-252)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)