STD5N20LT4

STMicroelectronics

STD5N20LT4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 2.5A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds242 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Max. Verlustleistung33W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)