STD40P8F6AG

STMicroelectronics

STD40P8F6AG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 80V DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4112 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Max. Verlustleistung100W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101