STD3NM60T4

STMicroelectronics

STD3NM60T4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 3A DPAK

ObsoletTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds324 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieMDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Max. Verlustleistung42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)