STD3NM60-1

STMicroelectronics

STD3NM60-1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 3A IPAK

ObsoletTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds324 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieMDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Max. Verlustleistung42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hersteller-GehäuseI-PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)