STD3N65M6

STMicroelectronics

STD3N65M6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™ M6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc)
Max. Verlustleistung45W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)