STD15N65M5

STMicroelectronics

STD15N65M5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N CH 650V 11A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds816 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Max. Verlustleistung85W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)