STD14NM50NAG

STMicroelectronics

STD14NM50NAG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 12A DPAK

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds816 pF @ 50 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieMDmesh™ II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Max. Verlustleistung90W

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101