STD130N4F6AG

STMicroelectronics

STD130N4F6AG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4260 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung143W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)