STD12N60DM6

STMicroelectronics

STD12N60DM6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerSTD12
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds508 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Max. Verlustleistung90W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseD-PAK (TO-252)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)