STB50N65DM6

STMicroelectronics

STB50N65DM6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs91mOhm @ 16.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™ DM6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
Max. Verlustleistung250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)