STB36N60M6

STMicroelectronics

STB36N60M6

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1960 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™ M6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung208W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)