STB22NS25ZT4

STMicroelectronics

STB22NS25ZT4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK

ObsoletTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2400 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
SerieMESH OVERLAY™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
Max. Verlustleistung135W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)