STB21NK50Z

STMicroelectronics

STB21NK50Z

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieAutomotive, AEC-Q101, SuperMESH™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Max. Verlustleistung190W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)