STB20N60M2-EP

STMicroelectronics

STB20N60M2-EP

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSTB20
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™ M2-EP
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)