STB16PF06LT4

STMicroelectronics

STB16PF06LT4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 8A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds630 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Max. Verlustleistung70W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD2PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)