SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

SCTWA90N65G2V-4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 50A, 18V
Basis-TeilenummerSCTWA90
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3380 pF @ 400 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C119A (Tc)
Max. Verlustleistung565W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseHiP247™ Long Leads

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~200°C(TJ)