SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SCTL35N65G2V

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 20A, 20V
Basis-TeilenummerSCTL35
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1370 pF @ 400 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Max. Verlustleistung417W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (8x8) HV

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)