Allgemein
| Basis-Teilenummer | MJD122 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 20 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Hersteller-Gehäuse | TO-251 (IPAK) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|