L6389EDTR

STMicroelectronics

L6389EDTR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerL6389
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
EingangstypInverting
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)70ns, 40ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)400mA, 650mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.1V, 1.8V
Versorgungsspannung17V (Max)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur-45°C~125°C(TJ)