ESM2012DV

STMicroelectronics

ESM2012DV

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP

ObsoletISOTOPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerESM2012
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 1A, 100A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)120 V
Current - Collector (Ic) (Max)120 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1200 @ 100A, 5V
Power - Max175 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOTOP
Hersteller-GehäuseISOTOP®

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)