A1P50S65M2

STMicroelectronics

A1P50S65M2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerA1P50
KonfigurationThree Phase Inverter
IGBT TypeTrench Field Stop
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce4.15 nF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartChassis Mount
NTC ThermistorYes
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Cutoff (Max)100 µA
Power - Max208 W

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseACEPACK™ 1

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)