2N7002

STMicroelectronics

2N7002

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

ObsoletTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Tc)
Max. Verlustleistung350mW (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)