2N6660

Solid State Inc

2N6660

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39

AktivTO-205AD, TO-39-3 Metal CanAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
HerstellerSolid State Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±40V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Tc)
Max. Verlustleistung6.25W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBox
Package / CaseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Hersteller-GehäuseTO-39

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)