1N5809

Solid State Inc

1N5809

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

AktivAxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerSolid State Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 4 A
Current - Average Rectified (Io)6A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseAxial
Hersteller-GehäuseAxial

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C