S2M0080120D

SMC Diode Solutions

S2M0080120D

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1324 pF @ 1000 V
HerstellerSMC Diode Solutions
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Tc)
Max. Verlustleistung231W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247AD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)