GPA030A135MN-FDR

SemiQ

GPA030A135MN-FDR

Analog & Leistungselektronik

IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

ObsoletTO-3P-3, SC-65-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge300 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSemiQ
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)450 ns
Switching Energy4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C30ns/145ns
Test Condition600V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1350 V
Current - Collector (Ic) (Max)60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max329 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Hersteller-GehäuseTO-3PN

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)