Allgemein
| Basis-Teilenummer | GHXS020 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Hersteller | SemiQ |
| Montageart | Chassis Mount |
| Verpackung | Tube |
| Teilestatus | Aktiv |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | SOT-227 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|