Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Synchronous |
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Schreibzykluszeit | 7.5ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 2Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 3.3V |
| Memory Organization | 64K x 32 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 100-TQFP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|