Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tray |
| Teilestatus | Obsolet |
| Schreibzykluszeit | 55ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 4Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 512K x 8 |
Mechanisch
| Hersteller-Gehäuse | 32-TSOP REVERSE |
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Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
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