Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Schreibzykluszeit | 55ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 256Kbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 32K x 8 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 28-SOP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|