K6T4008C1C-GL55T00

Samsung Semiconductor, Inc

K6T4008C1C-GL55T00

Speicher & Storage

SRAM ASYNC SLOW 4MB 512Kx8 5V 32

ObsoletSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
HerstellerSamsung Semiconductor, Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
Schreibzykluszeit55ns

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung5V
Memory Organization512K x 8

Mechanisch

Hersteller-Gehäuse32-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)