Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Schreibzykluszeit | 10ns |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Schreibzykluszeit | 10ns |
| Speichergröße | 4Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 5V |
| Memory Organization | 1M x 4 |
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
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| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
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