K6F2016U4D-FF70T00

Samsung Semiconductor, Inc

K6F2016U4D-FF70T00

Speicher & Storage

SRAM ASYNC SLOW 2MB 128Kx16 3.3V

ObsoletSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM - Asynchronous
HerstellerSamsung Semiconductor, Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
Schreibzykluszeit70ns

Elektrisch

Speichergröße2Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 16

Mechanisch

Hersteller-Gehäuse48-FBGA (6x7)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)