Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Obsolet |
| Schreibzykluszeit | 70ns |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Obsolet |
| Schreibzykluszeit | 70ns |
| Speichergröße | 2Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 128K x 16 |
| Hersteller-Gehäuse | 48-FBGA (6x7) |
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| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
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