Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SDRAM |
| Zugriffszeit | 65 ns |
| Basis-Teilenummer | K4S510432D |
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 512Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | LVTTL |
| Taktfrequenz | 133 MHz |
| Versorgungsspannung | 3V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 128M x 4 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Hersteller-Gehäuse | 54-TSOP II |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|