Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 8Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 1866 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.1V |
| Memory Organization | 256M x 32 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 200-TFBGA |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C |
|---|