Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Hersteller | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 4Gbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Taktfrequenz | 800 MHz |
| Versorgungsspannung | 1.35V |
| Memory Organization | 256M x 16 |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 96-TFBGA |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C |
|---|