UT6MA2TCR

Rohm Semiconductor

UT6MA2TCR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8

Aktiv6-PowerUDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Basis-TeilenummerUT6MA2
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 15V, 305pF @ 15V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

Package / Case6-PowerUDFN
Hersteller-GehäuseHUML2020L8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)