UT6KC5TCR

Rohm Semiconductor

UT6KC5TCR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN

Aktiv8-PowerUDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 3.5A, 10V
Basis-TeilenummerUT6KC5
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds135pF @ 30V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-PowerUDFN
Hersteller-GehäuseDFN2020-8D

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)